中芯重大突破，7nm级别芯片流片成功

spid

　　先上一张当前几大主流的芯片厂商的工艺流程图，如图所示，台积电2020年实现了5nm，三星在2020年晚一些时候，应该也能实现5nm。

　　所以，这张图的意思是告诉大家，当前只有两大厂商，进入到了10nm以下，那就是台积电、三星，而intel今年才进入到10nm。而中国大陆当前最好的成绩是14nm，也没有进入到10nm。

　　这中间也要注意的是，格芯、联电在2017年之后，就基本停止对工艺制程的研发了，保持住在10nm以上的水平了。

　　可以说10nm工艺是一个分水岭，谁能够达到10nm或以下工艺，代表的就是最先进的工艺了，未来或许也就4家厂商有这个水平，台积电、三星、intel、中芯。

　　不过近日，中国芯传出一则好消息，那就是芯动科技表示，全球首款基于中芯 FinFET N+1先进工艺芯片流片成功。

　　这可以说是中国芯的一个重大突破了，因为这代表着中国大陆自己也能够制造7nm级别的芯片，将技术突破到了10nm以下了。

为何这么说，N+1工艺是在中芯当前14nm的基础之上，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

　　这个技术指标，与台积电的7nm工艺是相差不大的，最多性能提升稍差了一点，但也可以视为7nm级别的芯片了，毕竟逻辑密度是最重要的一个指标。

要考虑到目前大陆在芯片的三大环节设计、制造、封测中，制造是最弱的，因为设计、封测都能达到5nm级别，而制造还只在14nm级别，所以将制造补上来是重中之重，所以从14nm直接跨入7nm级别，那必须是一个非常非常重大的突破了。

　　不过目前还只是流片成功，代表着有这个技术了，最终还要实现量产，才是真正的成功，但想来也不远了，估计就在明年了。

spid

中芯CEO忽然请辞。

https://baijiahao.baidu.com/s?id ... r=spider&for=pc

致董事会信函
  
董事长及诸位董事，您们好！
  
我知道今天在这个会议上我们要做一个非常重要的人事任命决议。
  
目前，中芯国际正面临着美国的种种打压，导致先进工艺的发展受到严重威胁。我认为，今天这个人事提案必然会关系到公司的前景。
  
我自从2017年11月，被董事会任命为联合首席执行官，至今已三年余，在这1000多个日子里，我 几乎从未休假，甚至在2019年6月份，当我正在经历着生命中最危险的时刻，都从来没有放弃、 也没有辜负过诸位对我的嘱托。
  
这段期间，我尽心竭力完成了从28nm到7nm，共五个世代的技术开发。这是一般公司需要花十年 以上的时间才能达成的任务。而这些成果是由我带领的2000多位工程师，日以继夜、卖命拼搏得 来的。当然，董事长和诸位董事过往的信任与支持也是成功的关键要素。
  
我来中国大陆本来就不是为了谋取高官厚禄，只是单纯的想为大陆的高端集成电路尽一份心力。目前，28nm, 14nm, 12nm, 及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年 四月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰钜的8大项技术也已经有序展开， 只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。
  
目前看来，我的短期目标，似乎已经超预期、圆满的达成了。
  
我是在12月9号，上星期三早上，接获董事长电话告知：蒋先生即将出任公司副董事长一职。对 此，我感到十分错愕与不解，因为我事前对此事毫无所悉。我深深的感到已经不再被尊重与不被 信任。我觉得，你们应该不再需要我在此继续为公司的前景打拼奋斗了。我可以暂时安心的休息 片刻。
  
在公司董事会和股东会通过蒋先生提名任职之后，我将正式提出辞呈。但是公司应该对我这三年多的贡献给予全面公正的评价，而我应有接受和申诉的权利。
  
我在此很郑重的告诉大家，我并没有丝毫意图想要影响各位接下来对此人事任命的表决，但是我觉得我应该要让大家知道我内心最真切的感受。
  
我的这份声明，希望董事会秘书郭光莉女士可以列入本次临时董事会的正式会议纪录。
  
谢谢大家。